隨著鈣鈦礦光伏邁向商業化，必須與照明電池電流匹配的遮光電池中的反向偏壓退化是一個嚴峻的挑戰。之前的研究強調了碘化物和銀氧化的作用，以及從電子傳輸層到鈣鈦礦中的空穴隧穿的作用，以使電流在反向偏壓下流動，從而導致退化。鑒于此，來自華盛頓大學的David S. Ginger等人表明器件架構工程對鈣鈦礦太陽能電池的反向偏壓行為有重大影響。
文章要點：
1) 該研究通過實施約35 nm厚的共軛聚合物空穴傳輸層和電化學更穩定的背電極，成功證實了平均擊穿電壓超過-15 V，與硅電池的擊穿電壓相當；
2) 此外，該研究還發現，提高擊穿電壓的策略減少了保護部分遮蔽的太陽能模塊所需的旁路二極管的數量，這已被證實是硅太陽能電池板的有效策略。
參考資料：
Jiang, F., Shi, Y., Rana, T.R. et al. Improved reverse bias stability in p–i–n perovskite solar cells with optimized hole transport materials and less reactive electrodes. Nat Energy (2024).
10.1038/s41560-024-01600-z
https://doi.org/10.1038/s41560-024-01600-z
