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一維（1D）和準1D（q-1D）范德華（vdW）晶體的發現，為研究1D材料的物理性質提供可能，這些性質可能應用于光子學、電子學和傳感等領域。雖然人們對于1D和q-1D vdW晶體的物理性質的創造和理解產生興趣，但是目前缺少生長跨越多個長度尺度的明確納米結構的合成途徑。

有鑒于此，加州大學Maxx Q. Arguilla教授等報使用各向異性的1D vdW NbS₃-I晶體，實現了無催化劑的方式進行自下而上合成得到超長的納米線，其長度可達7.9 mm，納米線的寬度非常均勻，寬度范圍在13至160納米之間。

本文要點

（1）

通過調節合成參數，能夠調節生長方式，從而選擇性只有1D納米線或準2D納米帶形成。

（2）

通過合成非常類似的ZrS₃，并且通過密度泛函理論（DFT）研究，發現生長方向沿著1D能夠優先生長的現象與NbS₃-I的強各向異性鍵合和二聚性質有關。

參考文獻

Diana Lopez, Yinong Zhou, Dmitri Leo Mesoza Cordova, Griffin M. Milligan, Kaleolani S. Ogura, Ruqian Wu, Maxx Q. Arguilla*, Bonding-Directed Crystallization of Ultra-Long One-Dimensional NbS₃ van der Waals Nanowires, J. Am. Chem. Soc. 2024

DOI: 10.1021/jacs.4c05730

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c05730