在過去的十年里，由于二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）具有高載流子遷移率、顯著的激子效應和強自旋軌道耦合等獨特性質，其研究得到了迅速擴展。科學界和工業界的極大關注推動了TMD向實際應用的探索。超尺度晶體管、片上光子學、柔性光電子和高效電催化等領域在很大程度上取決于大面積TMD薄膜的可擴展生產。為此，北京大學劉開輝、中國人民大學劉燦綜述研究了過渡金屬二硫族化合物的大面積外延生長。
本文要點：
1) 作者系統概述了TMD大面積外延生長的基本設計策略和重大進展，首先勾勒出它們的基本結構和不同的性質。作者隨后討論了包括晶圓級生產設計、單晶外延策略以及結構修改和后處理技術在內的研究進展。
2) 此外，作者強調了應用驅動材料制造的未來方向和持續挑戰，旨在激勵人們在現代半導體行業的革命中不斷探索。
Guodong Xue et.al Large-Area Epitaxial Growth of Transition Metal Dichalcogenides Chem. Rev. 2024
DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00851
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.3c00851
