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表面配體化學對于控制合成、減少表面缺陷和改善量子點(QD)的電子耦合以實現光電器件中的新興應用至關重要。

在這里，北京大學Qixuan Zhong，Lichen Zhao，朱瑞成功開發了高度均勻和分散的AgBiS₂ QD，專注于控制點間距，并在溶液中用碘化銨替代長鏈配體。這導致AgBiS₂ QD的電子耦合得到改善，表面鈍化效果極佳，大大促進了QD膜內的載流子傳輸。

文章要點

1）基于具有最佳配體狀態的穩定AgBiS₂ QD分散體，通過簡單的一步涂覆工藝制備了均勻且密集的QD膜，在QD太陽能電池中實現了約8%的卓越功率轉換效率，并具有出色的保質期穩定性。

2）所提出的表面工程策略有可能成為高性能QD光電器件領域的通用預處理步驟。

參考文獻

Yongqiang Ji, et al, Surface Engineering Enables Efficient AgBiS2 Quantum Dot Solar Cells, Nano Lett., 2024

DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00959

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00959