新型二維半導(dǎo)體晶體具有超越其固有半導(dǎo)體屬性的多種物理性質(zhì)，這使得它們備受關(guān)注。然而，同時利用半導(dǎo)體特性和憶阻特性來生產(chǎn)憶阻晶體管仍極具挑戰(zhàn)性。近日，延世大學(xué)Wooyoung Shim、Cheolmin Park、Aloysius Soon、韓國陶瓷工程技術(shù)研究所Jong-Young Kim報道了一類半導(dǎo)體III-V衍生的范德華晶體，尤其是HxA1-xBX表現(xiàn)出憶阻特性。
本文要點：
1) 作者進(jìn)行了系統(tǒng)的高通量篩選，篩選出44個潛在的III-V化合物；在這些化合物中，作者成功合成了十種，包括氮化物、磷化物、砷化物和銻化物。這些材料表現(xiàn)出獨特的特性，如電化學(xué)極化和憶阻現(xiàn)象，同時保持了它們的半導(dǎo)體屬性。
2) 作者利用二維晶體半導(dǎo)體和憶阻特性之間的協(xié)同相互作用，展示了單柵極記憶晶體管中的門可調(diào)突觸和邏輯功能。該方法指導(dǎo)了范德華材料的發(fā)現(xiàn)，這些材料具有非傳統(tǒng)晶體對稱性的獨特性質(zhì)。
Jihong Bae et.al Cation-eutaxy-enabled III–V-derived van der Waals crystals as memristive semiconductors Nature Materials 2024
DOI: 10.1038/s41563-024-01986-x
https://doi.org/10.1038/s41563-024-01986-x
