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基于InAs膠體量子點的光電器件需要合成高度單分散的CQD。由于含砷的反應物三甲基甲硅烷基砷（(TMSi₃)As）、三甲基鍺基砷（(TMGe₃)As）具有復雜性，人們進行了許多嘗試發展新合成原料；但是目前，只有上述兩種高反應性前體能夠產生優異的光電探測器器件性能。

有鑒于此，多倫多大學Edward H. Sargent教授等從機制角度研究，發現助表面活性劑二辛胺（dioctylamine ）起到產生單分散InAs的關鍵作用。

本文要點

（1）

通過對InAs量子點的表面配體進行定量分析，我們發現(TMGe₃)As形成富集In的特性，而且發現表面存在無定形油酸銦的殼，我們發現這導致產生表面缺陷。因此，通過材料加工策略來去除表面殼層，從而在量子點中實現有效的電荷轉移。

（2）

開發了表面修飾策略調節量子點的合成過程，不論合成原料的比例，都能夠合成得到比較平衡的In/As化學計量比，能夠制造940 nm激子量子效率（25-28%）EQE達到目前最好品質區間的近紅外光電探測器。

參考文獻

Hyeong Woo Ban, Maral Vafaie, Larissa Levina, Pan Xia, Muhammad Imran, Yanjiang Liu, Amin Morteza Najarian, and Edward H. Sargent*, Resurfacing of InAs Colloidal Quantum Dots Equalizes Photodetector Performance across Synthetic Routes, J. Am. Chem. Soc. 2024

DOI: 10.1021/jacs.4c06202

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c06202