在許多半導體中，電子和空穴波函數分別位于不同谷中的間谷激子決定了觀察到的長距離輸運和動力學。然而，這些具有消失振蕩強度的激子無法直接與光耦合，因此仍然很少被研究。鑒于此，來自柏林自由大學的Kirill I. Bolotin及其團隊開發了一種簡單的納米機械技術，通過其對機械應變的響應差異來控制谷的能量層次結構。研究人員利用該技術發現了WSe?和WS?中先前無法訪問的與K、Γ或Q谷相關的間谷激子。
文章要點：
(1) 該研究揭示了一種新穎的增亮機制，使得原本“暗態”的間谷激子通過應變控制的與內谷激子的雜化變得可見。
(2) 研究團隊分類了不同應變響應中的局域激子，并實現了其能量的大范圍調節，最終確立了一種新的方法來識別間谷激子并控制其在多種二維系統中的相互作用。
參考資料：
Kumar, A.M., Yagodkin, D., Rosati, R. et al. Strain fingerprinting of exciton valley character in 2D semiconductors. Nat Commun 15, 7546 (2024).
10.1038/s41467-024-51195-y
https://doi.org/10.1038/s41467-024-51195-y
