對基質如何影響摻雜分子的余輝特性有深入了解，是設計先進余輝材料的關鍵。盡管其應用前景廣闊，摻雜分子在二氧化硅基質中的余輝性能受缺陷影響的研究卻鮮有深入探索。鑒于此，來自西北工業大學的Xiaowang Liu 和Wei Huang 等人通過實驗研究了單分散二氧化硅微粒的合成，并通過水熱法摻雜分子，例如4-吡啶和4,4'-聯吡啶，來促進二氧化硅偽晶相變形。
文章要點：
(1) 研究展示了分子摻雜和基質缺陷的協同作用是提高二氧化硅基質中余輝性能的關鍵。通過摻雜分子與基質缺陷的相互作用，激發了余輝分子的活化，顯著增強了余輝效應。
(2) 此外，水熱摻雜工藝被證明能夠引入發光缺陷，同時顯著延長了摻雜二氧化硅微粒的余輝壽命，4-吡啶摻雜使得余輝和熒光分別提高了227倍和271倍，余輝壽命提高了3711倍，這為未來在余輝調控和光子存儲方面的應用開辟了新的研究思路。
參考資料：
Chen, X., Che, M., Xu, W. et al. Matrix-induced defects and molecular doping in the afterglow of SiO? microparticles. Nat Commun 15, 8111 (2024).
10.1038/s41467-024-51591-4
https://doi.org/10.1038/s41467-024-51591-4
