雖然GaP作為一種III-V族化合物半導體，在光電行業中已經被廣泛使用，但其固有的間接帶隙特性限制了其效率。韓國科學技術院的Yeon Sik Jung、Donghun Kim和東國大學的Min-Jae Choi等人通過在ZnS納米晶表面形成量子殼，實現了GaP從間接帶隙到直接帶隙的轉變。
文章要點：
(1) 該研究通過反轉型I類異質結的ZnS/GaP量子殼，使GaP實現了從間接帶隙到直接帶隙的轉變，量子產率高達45.4%。
(2) 密度泛函理論計算表明，ZnS納米晶在實現GaP量子殼直接帶隙轉變中起到了至關重要的作用。研究為通過能量結構調整來提高光電和光伏器件的效率提供了新的策略。
參考資料：
Shin, H., Hong, D., Cho, H. et al. Indirect-to-direct bandgap transition in GaP semiconductors through quantum shell formation on ZnS nanocrystals. Nat Commun 15, 8125 (2024).
10.1038/s41467-024-52535-8
https://doi.org/10.1038/s41467-024-52535-8
