寬帶半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子學(xué)器件的關(guān)鍵組成部分，但是目前改善晶體質(zhì)量仍然具有非常大的空間，目前改善的手段包括材料/異質(zhì)結(jié)選擇、規(guī)模化、使用價(jià)格便宜的寬能帶半導(dǎo)體材料。從這些角度考慮，因此層狀2D材料與寬能帶半導(dǎo)體結(jié)合是個(gè)具有前景的策略。
有鑒于此，伊利諾伊大學(xué)香檳分校Hyunseok Kim、Soo Ho Choi、成均館大學(xué)Il Jeon等綜述報(bào)道將寬能帶半導(dǎo)體材料和2D材料集成的相關(guān)研究進(jìn)展。
總結(jié)了這種寬能帶半導(dǎo)體-2D材料的制備技術(shù)、機(jī)理、器件、新型功能等。對(duì)寬能帶半導(dǎo)體和2D材料的各種性質(zhì)，包括外延生長(zhǎng)/非外延生長(zhǎng)方法、材料的轉(zhuǎn)移，以及這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)。
（2）
詳細(xì)討論了2D材料與WBG材料構(gòu)筑異質(zhì)結(jié)的優(yōu)勢(shì)，對(duì)未來(lái)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)和未曾探索的前景做出展望。
參考文獻(xiàn)
Soo Ho Choi, Yongsung Kim, Il Jeon, Hyunseok Kim, Heterogeneous Integration of Wide Bandgap Semiconductors and 2D Materials: Processes, Applications, and Perspectives, Adv. Mater. 2024
DOI: 10.1002/adma.202411108
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202411108
