一级黄色网站在线视频看看,久久精品欧美一区二区三区 ,国产偷国产偷亚洲高清人乐享,jy和桃子为什么绝交,亚洲欧美成人网,久热九九

倒置鈣鈦礦太陽能電池（IPSC）在有缺陷的鈣鈦礦/C60界面上遭受了非輻射復合損失，限制了鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池的效率和穩定性。盡管氧化硅（SiO_X）是硅工業中常見的鈍化材料，其電子選擇性高于傳統的原子層沉積氧化鋁，但其在IPC中的應用受到加工過程中損傷敏感鈣鈦礦的趨勢限制。近日，中國科學院葉繼春、楊茜、Ying Zhiqin開發了一種斜角蒸發方法來沉積共形的超薄SiO_X層，而不會損傷下面的鈣鈦礦。

本文要點：

1) 這種SiO_X中間層不但在配位Pb²⁺缺陷下進行化學鈍化，而且形成n/n⁺同質結，提供有效的場效應鈍化，同時減少復合并提高電子選擇性。因此，將這一策略擴展到兩端單片鈣鈦礦/隧道氧化物鈍化接觸硅疊層太陽能電池，實現了30.2%的穩定功率轉換效率。

2) 此外，SiO_X堅固的無機性質使其能夠實現致密的內部封裝，增強光（ISOS-L-1）和熱（ISOS-D-2I）器件的穩定性。

參考文獻：

Xuchao Guo et.al Oblique-Angle Damage-Free Evaporation of Silicon Oxide Electron-Selective Passivation Contacts for Efficient and Stable Perovskite and Perovskite/TOPCon Tandem Solar Cells Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202403021

https://doi.org/10.1002/aenm.202403021