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目前大多數調節材料物理化學性質的方法是通過化學鍵的打破/生成新化學鍵的方式，化學鍵打破/生成新化學鍵對局部結構造成不可避免的影響。二維鐵磁材料是自旋憶阻器和量子器件的關鍵，單數目前大多數二維鐵磁材料只能在低溫下保持鐵電性質，在室溫或者更高溫度下控制2D材料鐵磁性能的方法還沒有報道。

有鑒于此，華中科技大學常海欣教授、浙江理工大學宋昌盛副教授等報道非破壞性的vdW界面鐵磁策略，實現了高于室溫的鐵磁調控。

本文要點：

（1）

通過非磁性vdW MoS₂, WSe₂, Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3與2D vdW鐵磁Fe₃GaTe₂之間vdW耦合，將Curie溫度提高至400 K，是目前2D鐵磁材料最好的。而且實現了室溫垂直磁各向異性（perpendicular magnetic anisotropy）和340 K的非常規反常霍爾效應。

（2）

這種現象來自界面電荷轉移和自旋-軌道耦合的磁交換相互作用和磁各向異性。這項工作為調控vdW層間磁化學和實現多功能2D異質結提供方法。

參考文獻

Gaojie Zhang, Hao Wu, Li Yang, Zheng Chen, Wen Jin, Bichen Xiao, Wenfeng Zhang, Changsheng Song*, and Haixin Chang*, Above-Room-Temperature Ferromagnetism Regulation in Two-Dimensional Heterostructures by van der Waals Interfacial Magnetochemistry, J. Am. Chem. Soc. 2024

DOI: 10.1021/jacs.4c13391

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c13391