開發(fā)集成多種功能的先進光電器件至關重要，包括傳感、存儲和計算，這些功能被認為是半導體光電子學的前沿，可以滿足新興的功能多樣化。近日，西北工業(yè)大學劉煒通過將n型Ga2O3與n型MoS2薄片堆疊在一起，制造了一種整流比≈105、開/關比≈108的Ga2O3/MoS2異質結構光電器件，實現(xiàn)了1.34×109 Jones的高探測率和28.92 mA/W的高響應率。
本文要點：
1) Ga2O3/MoS2異質結構器件顯示出同時集成傳感和記憶的潛在能力，可以用作人工神經(jīng)形態(tài)突觸。該裝置表現(xiàn)出優(yōu)異的光誘導突觸功能，包括短期可塑性、長期可塑性和成對脈沖促進，實現(xiàn)了通過巴甫洛夫聯(lián)想學習耦合光和電信號的能力。
2) 最后，該器件還通過協(xié)同調節(jié)光的開/關狀態(tài)和柵極電壓，展示了作為光電邏輯門AND的信息處理能力。該研究報道了一種用于開發(fā)與傳感、存儲和邏輯處理功能高度集成的下一代光電器件，在構建高效的人工神經(jīng)形態(tài)視覺和邏輯系統(tǒng)方面具有巨大的應用前景。
Yao Zhang et.al Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga2O3/MoS2 Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios Adv. Functional Mater. 2024
https://doi.org/10.1002/adfm.202408978
