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除了開路電壓（V_OC）損失外，填充因子（FF）損失是限制Cu₂ZnSn（S，Se）₄（CZTSSe）器件效率的另一個重要因素。近日，河南大學武四新、韓力濤、中國科學院孟慶波對FF的損耗機制進行了全面研究，并實施了Li&Ag共摻雜方法來增強FF。

本文要點：

1) 結果表明，載流子提取不足引起的FF損失高于非輻射復合引起的FF損失。載流子提取能力受到CdS/CZTSe界面能帶排列的顯著影響，與吸收劑的載流子濃度關系不大。因此，盡管Ag摻雜降低了空穴濃度和電導率，但由于能帶對準的改善，它減少了載流子提取引起的FF損耗。Ag摻雜在鈍化有害缺陷方面也優于Li，這有助于減少非輻射復合引起的FF損失。

2) Li在提高空穴載流子濃度和優化帶對準方面比Ag表現更好，大大降低了載流子傳輸不足引起的FF損耗。最后，通過協同優化載流子提取和抑制非輻射復合，Li和Ag共摻雜策略實現了14.91%的效率和74.30%的高FF。

參考文獻：

Xinyi Zhong et.al Li, Ag Co-Doping Enables Efficient Kesterite Solar Cell with a High Fill Factor of 74.30% Adv. Functional Mater. 2024

DOI: 10.1002/adfm.202418548

https://doi.org/10.1002/adfm.202418548