金屬-半導體界面的高電接觸電阻阻礙了后硅時代的二維 (2D) 半導體電子器件的實際應(yīng)用。歐姆接觸的傳統(tǒng)策略包括優(yōu)化接觸電極材料。
在這項工作中，在這里，奧胡斯大學Zheng Guo，Mingdong Dong，四川大學Zegao Wang利用 2D 半導體的能帶結(jié)構(gòu)可調(diào)性，通過引入高介電常數(shù)柵極電介質(zhì)來優(yōu)化肖特基勢壘的高度和寬度。
文章要點
1）固態(tài)鋰離子電解質(zhì)引起的電介質(zhì)屏蔽效應(yīng)將肖特基勢壘高度顯著降低至 2.7 meV。由此產(chǎn)生的 MoS2 晶體管實現(xiàn)了 84 mV/dev 的亞閾值擺幅和 4.36 kΩ μm 的大幅降低的接觸電阻。
2）通過原位開爾文探針力顯微鏡研究了設(shè)備在工作條件下的接觸特性。
3）此外，該設(shè)備還展示了對可見光和近紅外光的良好光電檢測能力以及快速的響應(yīng)時間。
這項工作提出了一種增強 2D 半導體中電介質(zhì)接觸的方法，以推進高性能電子和光電子器件。
參考文獻
Yi Ouyang, et al, Enhancing MoS2 Electronic Performance with Solid-State Lithium-Ion Electrolyte Contacts through Dielectric Screening, ACS Nano, 2024
DOI: 10.1021/acsnano.4c05973
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c05973
