界面工程對量子點(diǎn)（QD）太陽能電池極其重要，然而，與量子點(diǎn)表面和器件頂部界面相比，埋入界面受到的關(guān)注要少得多。在此，蘇州大學(xué)馬萬里、袁建宇報(bào)道了一種利用循環(huán)鈍化劑（CyP），即安賽蜜鉀來調(diào)節(jié)氧化鈦（TiO2）/CsPbI3 QD埋入界面的有效策略。
本文要點(diǎn)：
1) 各向同性CyP可以通過靶化學(xué)結(jié)合有效鈍化TiO2和CsPbI3 QD表面的缺陷，從而促進(jìn)界面電荷提取和傳輸。CyP工程的埋入界面為全無機(jī)CsPbI3鈣鈦礦QD太陽能電池提供了17.50%的高功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）。
2) 此外，CyP工程翻新CsPbI3 QD器件的PCE在退役器件的第四輪回收后仍保持在新器件的90%以上。這些發(fā)現(xiàn)揭示了埋入界面的重要性，這將推動(dòng)基于量子點(diǎn)的光電器件性能和可持續(xù)發(fā)展。
Huifeng Li et.al Buried interface engineering enables efficient and refurbished CsPbI3 perovskite quantum dot solar cells EES 2024
DOI: 10.1039/D4EE04628E
https://doi.org/10.1039/D4EE04628E
