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發射體的大規模合成為膠體量子點（CQD）材料提供了大規模生產量子點發光二極管（QLED）基商業電子產品的巨大機遇。在此，香港理工大學Wai-Yeung Wong、普加福光電科技有限公司Li Yang、Chen Zhao通過使用CdZnSe/ZnSeS/CdZnS的核/殼結構實現了可擴展CQD（>0.5千克）的大規模合成，其中CdZnSe、ZnSeS和CdZnS合金分別用作內核、過渡層和最外殼。

本文要點：

1) 它表現出高熒光量子產率（>90%）、穩定的激發態和快速的輻射躍遷速率。作者通過對形態和表面狀態的研究揭示了這種優異光學性能的內在機制，包括均勻的尺寸分布、較低的副產物和高缺陷容限。

2) QLED的峰值量子效率超過21%，亮度超過9.5×10⁴ cd m^?2，壽命超過1.0×10⁶ h。因此，該工作為CQD的大規模合成提供了一種高效可靠的策略，CQD可以用作QLED基商用電子設備中的發射器，并使這些產品的大規模生產成為現實。

參考文獻：

Zhao Chen et.al Large Scale Synthesis of Red-Emitting Quantum Dots for Efficient and Stable Light-Emitting Diodes Adv. Mater. 2024

DOI: 10.1002/adma.202413978

https://doi.org/10.1002/adma.202413978