近年來，金屬鹵化物鈣鈦礦基發(fā)光二極管（LED）因其高量子效率、良好的光譜可調(diào)性以及預期的低加工成本而受到廣泛關注。當峰值發(fā)射波長超過900 nm時，由于該波長對生物醫(yī)學成像、夜視和傳感的重要性，人們對其的研究興趣日益高漲。然而，在制造這些高性能近紅外LED方面仍然存在許多挑戰(zhàn)，特別是對于950 nm以上的波長，這受到低輻射和穩(wěn)定性差的限制。近日，格羅寧根大學Maria Antonietta Loi報道了1.4%外部量子效率的鹵化錫鉛鈣鈦礦發(fā)光二極管。
本文要點：
1) 3-（氨基甲基）哌啶鎓（3-AMP）被用作鹵化錫鉛鈣鈦礦的本體添加劑，與純膜（0.43μs）或用全氟芳香族單銨分子鈍化的膜（0.41μs）相比，3-AMP鈍化膜的載流子壽命明顯更長，超過1μs。
2) 研究發(fā)現(xiàn)，優(yōu)化的鈣鈦礦基錫鉛鹵化物LED在988 nm處顯示出單個發(fā)射峰，并且其外部量子效率（EQE）約為1.4%。
Jiale Chen et.al 1.4% External Quantum Efficiency 988 nm Light Emitting Diode Based on Tin-Lead Halide Perovskite Adv. Mater. 2024
DOI: 10.1002/adma.202415958
https://doi.org/10.1002/adma.202415958
