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AEM:通過空穴傳輸層改性實現CsPbI3鈣鈦礦太陽能電池的高開路電壓和效率
NavyLIu NavyLIu 2024-12-28

image.png雙(三氟甲烷)磺酰亞胺鋰鹽(Li-TFSI)和4-叔丁基吡啶(t-BP)共摻雜2,2′,7,7-四(NN-二對甲氧基苯胺)-9,9-螺二芴(Spiro-OMeTAD)是一種非常經典和占主導地位的空穴傳輸層(HTL),用于制造高效鈣鈦礦太陽能電池(PSC)。然而,基于PSCSpiro-OMeTAD通常表現出較差的穩定性,這是由于易發生離子遷移的吸濕性Li TFSI、揮發性t-BP和在空氣中耗時的氧化。在此,陜西師范大學劉治科、段玉偉、西南科技大學趙廷興將疏水性1,2-雙(全氟吡啶-4-基)二硫烷(BPFPDS)用于優化Spiro-OMeTAD

 

本文要點:

1) BPFPDSLi-TFSI之間的S-LiF-LiN-Li協同相互作用抑制了Li+離子的遷移,BPFPDS的疏水性平衡了Li-TFSI的濕度敏感性,從而防止了Li+離子和水分子腐蝕鈣鈦礦層。此外,BPFPDSt-BP之間的F-N超分子相互作用限制了t-BP的揮發性,從而間接阻止了Li+離子的遷移。

2)因此,經BPFPDS處理的CsPbI3 PSC產生了21.95%的效率和1.29V的開路電壓(VOC)。經BPFPDS-處理的器件在空氣中老化3000小時和在最大功率點跟蹤1200小時后分別保持了96%98%的效率。

 

參考文獻:

Zihao Fan et.al High Open-Circuit Voltage and Efficiency CsPbI3 Perovskite Solar Cells Achieved by Hole Transport Layer Modification Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202405360

https://doi.org/10.1002/aenm.202405360


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