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AM:通過堆疊工程實現正交扭曲2D CrSBr磁體中的可編程磁滯
NavyLIu NavyLIu 2025-01-10

image.png扭曲2D范德華磁體可以形成和控制不同的自旋紋理。除了旋轉角度之外,可以通過增加形成扭曲范德華異質結構的磁性層數量來設計不同的自旋反轉過程。近日,巴倫西亞大學Eugenio Coronado、代爾夫特理工大學Samuel Ma?as-ValeroA型反鐵磁體CrSBr的原始單層和雙層作為構建塊,通過將這些單元旋轉90度,可以制造出對稱(單層/單層和雙層/雙層)和不對稱(單層/雙層)異質結構。

 

本文要點:

1) 磁輸運特性揭示了磁滯現象的出現,磁滯現象高度依賴于施加磁場的大小和方向,不僅由扭轉角決定,還由形成堆疊的層數決定。這種高可調性允許在零場下在易失性和非易失性磁存儲器之間切換,并根據需要在負或正場值下控制突然磁反轉過程的出現。

2) 該研究結果強調了扭曲角度和層數之間的結合是扭曲磁體中自旋開關反轉工程的關鍵因素,對自旋電子器件的小型化和實現新型自旋紋理具有重要意義。

 

參考文獻:

Carla Boix-Constant et.al Programmable Magnetic Hysteresis in Orthogonally-Twisted 2D CrSBr Magnets via Stacking Engineering. Adv. Mater. 2024

DOI: 10.1002/adma.202415774

https://doi.org/10.1002/adma.202415774


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