武漢大學宮俊波、肖旭東證明了反應性等離子體沉積(RPD)在制備氧化銦錫(ITO)作為倒置寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池(PSC)中有效緩沖層方面的潛力。這種方法使寬帶隙PSC的認證效率達到21.33%,證明了其優異的熱穩定性和操作穩定性。
本文要點:
1) 優化后的器件實現了1.252 V的開路電壓(VOC)和1.67 eV的帶隙,導致0.418 V的電壓赤字顯著降低,這歸因于電子提取的改善、界面缺陷的減少和表面復合的抑制。在88°C下熱老化1023小時后,電池保持了90%以上的初始效率。
2) 此外,通過將高效半透明PSC與CIGS底部電池集成,實現了四端串聯配置,總效率為29.03%。該研究為RPD在提高倒置寬帶隙PSC性能和可擴展性方面的潛力提供了重要見解。
Wang Li et.al Reactive Plasma Deposition of ITO as an Efficient Buffer Layer for Inverted Perovskite Solar Cells Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202417094
https://doi.org/10.1002/adma.202417094