高溫電子材料和器件在航空航天、高速汽車和深井鉆探等先進應(yīng)用中備受關(guān)注，因為主動或被動冷卻機制仍不明確。2D材料（2DM）是傳統(tǒng)硅和寬帶隙半導(dǎo)體（WBG）在高溫條件下工作的納米級電子器件的有效替代品。近日，清華大學(xué)劉凱綜述研究了高溫電子器件2DM界面工程的最新進展。
本文要點：
1) 作者概述了傳統(tǒng)硅基材料和WBG半導(dǎo)體的局限性，以及2DM提供的優(yōu)勢。隨后，作者詳細(xì)介紹了提高2DM穩(wěn)定性及其器件性能的界面工程策略。此外，作者還綜述了各種界面工程二維高溫器件，包括晶體管、光電器件、傳感器、憶阻器和神經(jīng)形態(tài)器件。
2) 最后，作者對未來的二維高溫電子學(xué)進行了前瞻性展望。該綜述從基礎(chǔ)和實踐的角度對新興二維模型及其在高溫環(huán)境中的應(yīng)用提供了重要見解。
Wenxin Wang et.al Interface Engineering of 2D Materials toward High-Temperature Electronic Devices Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202418439
https://doi.org/10.1002/adma.202418439
