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鈣鈦礦薄膜和電子傳輸層（ETL）之間埋入界面處的缺陷對鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）和穩(wěn)定性都有害。在此，中國科學院劉生忠、陜西師范大學馮江山將氯化苯肼（PC）設(shè)計為一種有效的鈍化劑，可以顯著降低埋入界面處的缺陷密度。

本文要點：

1) 研究發(fā)現(xiàn)，PC和PbI₂之間的強相互作用不僅鈍化了埋入界面處的缺陷，還延緩了鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過程，使高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜具有低缺陷，從而使小面積器件的PCE從24.37%提高到25.80%，大面積（1 cm²）器件的PCEs提高到24.12%。此外，柔性PSC（F-PSC）的PCE提高到24.54%。

2) PSCs也實現(xiàn)了優(yōu)異的穩(wěn)定性，在25°C和30%濕度下1008小時后保留了93.94%的初始PCE。該工作為鈣鈦礦薄膜的埋入改性、PSCs的大規(guī)模制備和F-PSCs的制備鋪平了道路

參考文獻：

Yang Cao et.al Buried Interface Modification for High Performance and Stable Perovskite Solar Cells EES 2025

DOI: 10.1039/D4EE05466K

https://doi.org/10.1039/D4EE05466K