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光電倍增型有機(jī)光電探測(cè)器（PM-OPD）的結(jié)構(gòu)為ITO/PNDIT-F3N/F8BT/Y6-10:P3HT（100:3，wt/wt）/Al，在有源層中包含由Y6-10包圍P3HT形成的空穴陷阱。近日，北京交通大學(xué)張福俊采用緩沖層提高寬帶光電倍增型有機(jī)光電探測(cè)器的信噪比。

本文要點(diǎn)：

1) PM OPD在310至910 nm的光譜響應(yīng)范圍內(nèi)表現(xiàn)出>100%的外部量子效率（EQE），這是由ITO電極附近的陷阱空穴輔助電子隧穿注入引起的。由于大的電子注入勢(shì)壘，F8BT緩沖層的加入可以顯著降低暗電流密度（J_D）。

2) 通過(guò)插入F8BT緩沖層，PM OPD的光電流密度（J_L）略有降低，這是由于ITO電極附近更多的陷阱空穴輔助了增強(qiáng)的電子隧穿注入。通過(guò)插入適當(dāng)厚度的F8BT緩沖層，PM OPD的信噪比（SNR）增加了40倍以上，這是由于J_D顯著降低和相當(dāng)高的J_L。最佳的PM OPD表現(xiàn)出優(yōu)異的光電探測(cè)能力，在360 nm處的EQE為4200%，在850 nm處為6600%，這與360 nm處3.9×10¹¹ Jones和850 nm處9.7×10¹¹ Jones的比探測(cè)率相關(guān)。

參考文獻(xiàn)：

Kaixuan Yang et.al Adopting Buffer Layer for Improving Signal-to-Noise Ratio of Broadband Photomultiplication Type Organic Photodetectors Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202415978

https://doi.org/10.1002/adfm.202415978