晶體生長調(diào)控在制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜中起著關(guān)鍵作用。雖然表面缺陷已經(jīng)得到了廣泛研究，但由于其對薄膜形態(tài)和器件性能的復(fù)雜影響，埋入界面和塊體性能的優(yōu)化仍然是一個重大挑戰(zhàn)。近日，南開大學(xué)劉永勝、南方科技大學(xué)徐保民開發(fā)了一種協(xié)同策略，通過用FuMACl修飾埋入界面并使用（DFP）2PbI4 2D鈣鈦礦晶種控制塊體結(jié)晶來提高鈣鈦礦薄膜質(zhì)量。
本文要點(diǎn)：
1) FuMACl層提高了潤濕性，減輕了埋界面處的殘余應(yīng)力，并鈍化了缺陷。將（DFP）2PbI4晶種散裝組合，這些改性有效地提高了薄膜質(zhì)量并增加了晶粒尺寸，從而顯著降低了缺陷密度。
2) 與效率為23.11%的器件相比，目標(biāo)器件的效率為26.03%，填充系數(shù)為86.79%，穩(wěn)定性也有所提高。此外，孔徑面積為10.80 cm2的鈣鈦礦微型模塊的效率達(dá)到22.89%。
Zonglong Song et.al Buried and Bulk Synergistic Engineering Enable High-Performance Inverted 2D/3D Perovskite Solar Cells EES 2025
DOI: 10.1039/D5EE00156K
https://doi.org/10.1039/D5EE00156K
