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基于AlGaN的紫外（UV）發光二極管（LED）在280-330 nm波長范圍內的效率顯著降低。鑒于UV LED在該波長范圍內的廣泛應用，彌合這一效率差距勢在必行。近日，北京大學王新強引入了一種由殘留Al吸附原子存在的促進策略，以在低Al組分AlGaN量子阱（QW）生長過程中同時提高Ga吸附原子的集成和Al/Ga吸附原子的遷移，即使在與高Al組分GaN量子勢壘相當的高溫下也是如此。

本文要點：

1) 這種生長策略能夠外延高質量的AlGaN QW，在UVB間隙具有寬的可調發射波長范圍。利用這種方法，作者開發了有效橋接UVB間隙的高效UV LED。

2) 此外，得益于這種QW生長結構，這些UV LED具有超長的L₇₀壽命，標志著AlGaN QW生長技術向前邁出了重要一步，擴大了UV LED的應用前景。

參考文獻：

Tai Li et.al Residual Al Adatoms Driven Epitaxy of AlGaN QWs for High-Performance UV LEDs Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202501601

https://doi.org/10.1002/adma.202501601