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過渡金屬硫族化合物（TMC）正在成為探索拓撲物理學和超導性等奇特現象的平臺。PdTe作為此類材料之一，被視為狄拉克半金屬和非常規超導的候選者。PdTe塊體和表面的超導行為各不相同，因此有必要對PdTe薄片和塊體材料進行比較。由于缺乏關于純PdTe薄片的報道，南京大學宋鳳麒、王學鋒、費付聰開發了一種原位器件合成工藝。

本文要點：

1) 首先，作者將PdTe₂塊體剝離成薄片并制成輸運裝置。隨后，在該器件上進行電化學過程，將層狀材料PdTe₂原位轉化為非層狀材料PdTe，形成高質量的純PdTe薄片器件。

2) 薄片（≈3.2 K）的臨界溫度起始點低于塊體（≈4.4 K），而上臨界場的值和各向異性增強，表明了與塊體不同的二維超導特性。該工作為研究PdTe薄片的超導性提供了一個有效平臺，并為研究非常規超導性材料提供了一種新方法。

參考文獻：

Yu Du et.al On-Device Synthesis of PdTe Thin Flakes with 2D Nature of Superconductivity Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202425251

https://doi.org/10.1002/adfm.202425251