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AFM:銀納米線和Al2O3的組合替代Cu(in,Ga)Se2薄膜太陽能電池中的ITO和MgF2
NavyLIu NavyLIu 2025-03-21

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銀納米線(AgNW)透明導電電極可以通過低成本工藝制備,并提供與氧化銦錫(ITO)相當甚至更好的光電性能。然而,將它們集成到實際設備中仍極具挑戰性,主要是因為AgNW和底層之間的粘附力較弱。此外,當AgNW取代ITO時,薄膜太陽能電池的抗反射涂層(ARC)需要考慮不同的材料。近日,韓巴大學Choong-Heui Chung采用AgNWsAl2O3的組合來代替CuInGaSe2CIGS)薄膜太陽能電池中的ITOMgF2

 

本文要點:

1) 通過引入化學浴沉積焊接層,AgNWsCdS緩沖液之間的接觸質量得到了改善,這將電池的填充系數從43.4%提高到68.7%。因此,CIGS薄膜太陽能電池的暴露表面從ITO變為CdS

2) 因此,常用的MgF2-ARCAl2O3取代,這在AgNWCIGS薄膜太陽能電池的折射率方面更匹配。Al2O3-ARC的采用使電池的短路電流密度提高了7.3%

 

參考文獻:

Seoin Kang and Choong-Heui Chung A Combination of Silver Nanowires and Al2O3 to Replace ITO and MgF2 in a Cu(In,Ga)Se2 Thin-Film Solar Cell Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202417537

https://doi.org/10.1002/adfm.202417537


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