用于水凈化的基于碳納米管（TNT）的非均相高級氧化工藝（AOPs）已經被開發了幾十年。許多修飾碳納米管的策略已被用來提高其在修復過程中的催化性能。然而，碳納米管引導AOP（例如氯化）上本征缺陷位點的應變場尚未被報道。
在這里，中國藥科大學Sijin Zuo，Jianqiu Chen探索了應變缺陷位，以指導水凈化的氯化過程。
文章要點
1）研究人員發現具有細長sp2雜交C-C鍵的應變缺陷位點通過初始耶格爾型吸收增強了與氯分子的電子反應性。因此，氯化過程中的活性物種可以根據需要進行調節，例如高選擇性ClO·的比例從傳統缺陷型系統中的38.8%到以菌株為主的工藝中的87.5%，這導致產生無害的中間體，甚至在2，4-HCP減排過程中產生深度礦化。
這項工作強調了應變場在控制氯化反應程度方面的作用。
參考文獻
Zhang, Y., Chen, M., He, X. et al. Intrinsic strain of defect sites steering chlorination reaction for water purification. Nat Commun 16, 2652 (2025).
DOI：10.1038/s41467-025-57841-3
https://doi.org/10.1038/s41467-025-57841-3
