一级黄色网站在线视频看看,久久精品欧美一区二区三区 ,国产偷国产偷亚洲高清人乐享,jy和桃子为什么绝交,亚洲欧美成人网,久热九九

具有非易失性存儲、可重構(gòu)性和模擬突觸功能的膜晶體管對于克服傳統(tǒng)馮·諾伊曼計算機架構(gòu)瓶頸至關(guān)重要。新興的二維范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)（vdW）可以通過整合不同材料的獨特特征并提供對其現(xiàn)有光電特性的可控性來構(gòu)建先進三端薄膜晶體管。在此，南京大學(xué)郝玉峰、中國海洋大學(xué)張明佳、之江實驗室張亮報道了二硫化鉬（MoS₂）/碲（Te）vdW p-n結(jié)膜晶體管，以模擬生物突觸的可塑性、多位記憶和成對脈沖促進行為。

本文要點：

1) MoS₂/Te異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高表面電勢差和電荷捕獲可以通過在光照下從短期塑性轉(zhuǎn)變?yōu)殚L期塑性，賦予器件可重構(gòu)的功能。同時，光電突觸記憶晶體管也表現(xiàn)出非易失性行為，保留時間長達幾個小時，可以在一次突觸活動中實現(xiàn)光增強和電抑制。

2) 在此基礎(chǔ)上，通過控制光和電輸入來實現(xiàn)“OR”的邏輯運算。此外，通過人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練，手寫數(shù)字識別的識別準確率達到87.8%，證明了人工光電突觸在神經(jīng)形態(tài)計算中的潛力。

參考文獻：

Yuan Li et.al Reconfigurable, Nonvolatile, Optoelectronic Synaptic Memtransistor Based on MoS₂/Te van der Waals Heterostructures Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202423333

https://doi.org/10.1002/adfm.202423333