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對于太陽能電池，界面化學配位、載流子輸運和能量排列在載流子輸運中起著至關重要的作用，并決定了最終的能量轉換效率。作為一種新興的太陽能技術，高效Sb₂（S，Se）₃太陽能電池通常利用硫化鎘（CdS）作為界面電子傳輸層。然而，摻氟SnO₂（FTO）基板與CdS之間較差的化學和電接觸對提高器件性能提出了重大挑戰。近日，中國科學院Chen Tao通過化學浴沉積在FTO和CdS之間引入超薄SnO₂層，以解決界面配位和輸運問題。

本文要點：

1) 基于同步輻射X射線光電子能譜的非侵入性深度分析表明，這種界面工程方法有助于在FTO/CdS界面上形成S-Sn鍵，這在傳統的惰性FTO表面上是無法實現的。此外，界面SnO₂層的存在減少了CdS薄膜中的硫空位缺陷（V_S），提高了電導率和結晶度。

2)因此，太陽能電池表現出顯著增強的載流子分離和傳輸性能。最終，Sb₂（S，Se）₃太陽能電池的填充系數達到了73%以上，效率為10.58%。該研究提出了一種有效的界面工程策略，以提高高性能Sb₂（S，Se）₃太陽能電池的電荷傳輸性能。

參考文獻：

Xiaoqi Peng et.al Interfacial Bridge Bonding Enables High-Efficiency Sb₂(S,Se)₃ Solar Cells with Record Fill Factor Exceeding 73% Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202503314

https://doi.org/10.1002/adfm.202503314