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在摻氟氧化錫（FTO）基板上制造具有優異光捕獲性能的高性能鈣鈦礦太陽能電池，需要在底部界面處設置高度共形的電子傳輸層。在此，南京航空航天大學宣益民通過將聚丙烯酸穩定的量子點-SnO₂層錨定在具有致密羥基表面的原子層沉積SnO₂層上，在FTO上成功開發了共形低溫可加工的全SnO₂基電子傳輸層（ETL）。

本文要點：

1) 所獲得的ETL在均勻化表面接觸電勢分布、阻斷空穴傳輸和抑制非輻射復合方面表現出優異的性能。因此，作者實現了一種功率轉換效率（PCE）高達24.97%的器件，V_OC×FF在1.54 eV的帶隙下達到Shockley-Queisser極限的87.09%。

2) 與較小面積的PSC相比，均勻的ETL進一步實現了1 cm² PSC的制造，其PCE為23.18%，V_OC損失僅為10 mV，展示了其大規模商業應用的潛力。

參考文獻：

Bin Huang et.al All-SnO₂-Based Conformal Electron Transport Layer for Efficient Perovskite Solar Cells Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202419678

https://doi.org/10.1002/adfm.202419678