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2D材料因其獨特的性能而受到廣泛關注，促使其在各個領域得到廣泛應用。除了其固有特性外，2D材料的重要性還延伸到制造過程中，這些過程可能會導致固有性能因不利的缺陷和表面污染而退化。近日，光州科學技術院Jae Hun Seol提出了一種新的制造技術，主要使用二硫化鉬（MoS₂），利用范德華（vdW）相互作用實現無殘留物的2D材料。

本文要點：

1) 光學和電學特性證實了沒有殘留物、機械缺陷、氧化和應變，以及高達60 cm² V^?1 s^?1的顯著場效應遷移率和≈10⁸的開/關比。此外，利用無殘留材料作為印模，作者可以對預先轉移到基材上的薄片進行各種操作，包括拾取和釋放、堆疊、剝落、擦拭、翻轉和平滑處理。

2) 此外，該操縱技術還促進了具有精確定位和所需堆疊順序的vdW異質結構的制造。在這方面，作者證明了將該方法應用于六方氮化硼和石墨的可行性。總之，該方法將為提高二維材料基電子和光電子器件的質量提供一種通用且有效的方法。

參考文獻：

Minyoung Lee et.al Residue-Free Fabrication of 2D Materials Using van der Waals Interactions Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202418669

https://doi.org/10.1002/adma.202418669