雙面CuInSe?（CISe）太陽能電池在各種應(yīng)用中具有巨大的前景，但受到相對較低功率轉(zhuǎn)換效率的限制。近日，大邱慶北科學(xué)技術(shù)院Dae-Hwan Kim、Shi-Joon Sung通過降低CISe吸收劑沉積溫度和使用低Ga濃度來提高性能，以獲得最佳的鎵銦比（Ga/（Ga+In）；GGI）。
本文要點：
1) 低沉積溫度降低了ITO背接觸熱降解，而低Ga濃度降低了GaOX的形成和CISe/ITO電荷復(fù)合。銀的摻入顯著改善了光伏參數(shù)，包括開路電壓（VOC）和填充因子（FF），同時減少了Cu2-XSe相的形成。
2) 這種方法可以在420°C以下實現(xiàn)高質(zhì)量的CISe生長，大大低于溫度。該研究在窄帶隙CISe中實現(xiàn)了優(yōu)異的效率，銀合金器件在390°C時的效率為8.44%，在420°C時的效率為15.30%。總之，較低的沉積溫度可以提高性能，突出了低溫處理、低Ga摻雜和Ag合金化在抑制CISe太陽能電池中載流子復(fù)合損失方面的作用。
Amanat Ali et.al Highly Efficient Bifacial Narrow Bandgap Ag-CuInSe2 Solar Cells on ITO Adv. Energy Mater. 2025
DOI: 10.1002/aenm.202500899
https://doi.org/10.1002/aenm.202500899
