HgTe膠體量子點（CQD）因其極寬的光譜響應和優異的溶液加工性能而引起了人們的極大關注，使其成為下一代紅外光電探測器的有效候選者。然而，p型HgTe CQD的有限可用性對器件構建構成了重大挑戰。近日，華中科技大學藍新正確定了一種基于陽離子交換過程的室溫工藝，用于制備p型摻金HgTe CQD。
本文要點：
1) 與傳統的摻銀HgTe CQD相比，所得的摻金HgTe CQDs表現出可調的p型摻雜、增強的缺陷鈍化和改進的摻雜均勻性。通過使用摻金的HgTe CQD作為空穴傳輸層，作者展示了高性能的p-on-n光電二極管，其中在≈1.6μm處的記錄外部量子效率（EQE）為58.8%，比探測率高達1012 Jones。
2) 該工作表明了CQD中異價摻雜對推進紅外光電器件的前景，并為進一步探索納米材料中的創新摻雜策略鋪平了道路。
Mengxuan Yu et.al Gold Doping of HgTe Colloidal Quantum Dots for High-Performance Infrared Photodetectors Adv. Functional Mater. 2025
DOI: 10.1002/adfm.202423299
https://doi.org/10.1002/adfm.202423299
