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發射峰≈450 nm的大型ZnSe量子點（QD）在顯示技術中具有重大前景。然而，通過擴大ZnSe納米晶體來實現高效的純藍色發射仍然是一個重大挑戰。近日，福州大學鄭遠輝、Liang Yuhang通過Yb³⁺摻雜策略，在生長遠超激子玻爾半徑的大尺寸ZnSe量子點方面取得了突破。

本文要點：

1) Yb³⁺摻雜降低了ZnSe（220）晶面的表面能，減輕了ZnSe/ZnS結構中的界面應變，使量子點能夠生長得更大，同時保持增強的晶體穩定性。所得Yb:ZnSe/ZnS量子點在453nm處呈現純藍色發射，半峰全寬（FWHM）為46nm，光致發光量子產率（PLQY）高達67.5%。

2) 當集成到量子點發光二極管（QLED）中時，這些器件在455 nm處顯示電致發光（EL），外部量子效率（EQE）為1.35%，最大亮度為1337.08 cd m^?2。

參考文獻：

Zhenyu Hu et.al Mitigating Surface Energy and Core-Shell Interface Strain of Yb³⁺-Doped ZnSe-Based Quantum Dots for Pure-Blue Emission QLED Devices Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202501500

https://doi.org/10.1002/adma.202501500