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由于難以實現亞納米材料精度和促進太赫茲頻率區域的有效聲子耦合，太赫茲聲子的工程設計極具挑戰性。近日，印度科學與創新研究院Bipin Kumar Gupta利用光泵浦太赫茲探針和太赫茲時域實驗，實時揭示了單層石墨烯和單層MoS₂異質結構界面在光激發下的電荷載流子轉移動力學。

本文要點：

1) 通過在范德瓦爾斯異質結構中集成原子薄層，有效地產生、檢測和操縱太赫茲聲子，可以為下一代光電量子器件提供新的設計，為太赫茲領域的熱工程提供新的途徑。

2) 作者利用適當的理論模型詳細探討了GM異質結構的溫度依賴性太赫茲響應以及實驗觀測。這些見解對于設計太赫茲帶寬內具有堆疊2D異質結構的下一代光電子應用具有重要意義。

參考文獻：

Saloni Sharma et.al Probing into Intraband Transitions Enabled Charge Carrier Dynamics of THz Response Generated in Graphene/MoS₂ Heterostructures Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202503590

https://doi.org/10.1002/adma.202503590