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寬帶和超薄電磁干擾（EMI）屏蔽材料對于新興技術中高效的高頻數據傳輸至關重要。MXenes以其出色的導電性和EMI屏蔽能力而聞名。雖然從理論上講，用氮（N）代替傳統MXene結構中的碳（C）原子有望增強這些性能，但合成挑戰阻礙了其進展。近日，蔚山科學技術院Soon-Yong Kwon、EunMi Choi、首爾大學Gun-Do Lee發現，具有優化N含量的Ti_xC_yN_x-y-1T_z MXene薄膜的電導率達到了35?000 S cm^-1，在X（8-12.4 GHz）、Ka（26.5-40 GHz）和W（75-110 GHz）頻段具有出色的寬帶EMI屏蔽性能，即使在厚度減小的情況下，也優于之前報道的材料。

本文要點：

1) 通過合成一系列不含中間相的高化學計量比Ti_x AlC_yN_x-y-1 MAX相，作者系統探索了N替代對Ti_xC_yN_x-y-1T_z MXene薄片物理和電學性能的影響，并實現了分散和薄膜形式的完全成分可調性。

2) 這些發現使Ti_xC_yN_x-y-1T_z MXenes成為從傳統低頻域到下一代亞太赫茲電子產品中有前景的應用候選者。

參考文獻：

Ju-Hyoung Han et.al Ultrahigh Conductive MXene Films for Broadband Electromagnetic Interference Shielding Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202502443

https://doi.org/10.1002/adma.202502443