單晶體以其連續(xù)的高度有序原子晶格為特征。因此，向單晶體基質(zhì)中引入雜質(zhì)或結(jié)構(gòu)性缺陷是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)，尤其是以空間可控的方式引入。鑒于此，暨南大學(xué)Yin Ning等展示了一種納米顆粒包裹法，該方法能夠以可調(diào)控的方式對(duì)氧化亞銅（Cu2O）單晶的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行改造。
本文要點(diǎn)：
（1）具體做法是直接將聚（甘油單甲基丙烯酸酯）51-嵌段-聚（芐基甲基丙烯酸酯）100[G51-B100]二嵌段共聚物納米顆粒嵌入正在生長(zhǎng)的Cu2O晶體中，從而形成G51-B100@Cu?O復(fù)合晶體，其結(jié)構(gòu)缺陷集中于G51-B100與Cu2O的界面處。這些缺陷的空間分布可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性調(diào)控，范圍從表面區(qū)域到整個(gè)晶體。
（2）值得注意的是，G51-B100的包裹賦予了所得復(fù)合晶體在無光條件下優(yōu)異的染料降解催化性能，其活性與納米顆粒包裹程度相關(guān)。這項(xiàng)研究為在單晶體中制造界面缺陷提供了一種獨(dú)特策略，賦予了所得復(fù)合材料新的功能特性。
Bing Yu, Pei Liu, Jingjing He, Xiaojie Li, Xia Sun, Boxiang Peng, Jiahao Zhang, Yin Ning, Angew. Chem. Int. Ed. 2025, e202505637.
https://doi.org/10.1002/anie.202505637
