由于效率低和穩定性較差，無重量的量子點發光二極管（QLEDs）面臨商業化挑戰。自旋涂層量子點膜通常會產生電荷泄漏區域，從而限制設備性能。
在這里，中國科學院理化技術研究所Yuchen Wu，中科院蘇州納米所Wen Wen，北京航空航天大學Bingqiang Ji制定了一種蒸發驅動的自組裝策略，該策略可以制定均勻和密度的基于InP的量子點膜。
文章要點
1）在設備操作過程中，這些膜有效地抑制了由電荷泄漏引起的性能降解。具有均勻且密集的基于量子點膜的QLEDS可實現高外部量子效率（26.6％）和亮度（1.4×105 cd m -2），并具有相當大的穩定性（在1000 cd m -2時外推T50壽命為4026小時）。對于基于2×3 cm2 INP的設備，峰值外部量子效率達到21.1％。
2）通過將高性能QLED與光刻技術相結合，制造了最小像素大小為3μm的微型QLEDs，達到每英寸5080像素的分辨率，峰值外部量子效率為22.6％。
參考文獻
Li, H., Zhang, J., Wen, W. et al. Highly efficient light-emitting diodes via self-assembled InP quantum dots. Nat Commun 16, 4257 (2025).
DOI：10.1038/s41467-025-59527-2
https://doi.org/10.1038/s41467-025-59527-2
